تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه های نازک اکسید ژرمانیوم

Authors

مهدی اردیانیان

m ardyanian damghan universityدانشگاه دامغان اروه رینرت

h rinnert nancy universitéدانشگاه نانسی و متز فرانسه میشل ورنیا

m vergnat nancy universitéدانشگاه نانسی و متز فرانسه

abstract

بس لایه های آمورف (1x

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه‌های نازک اکسید ژرمانیوم

  Amorphous GeOx/SiO2 multilayers (1<x<2) were prepared by successive evaporation of GeO2 and SiO2 powders onto the Si substrates maintained at 100°C. Structural study by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared-absorption (FTIR) spectrometry, and transmission electron microscopy (TEM) was carried out. These techniques allowed us to follow the structural evolution, and...

full text

تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...

full text

تأثیر فشار اکسیژن بر ساختار، هدایت الکتریکی و نفوذپذیری اکسیژن لایه های نازک Ba0/5Sr0/5Co0/8Fe0/2O3-δ ساخته شده با لایه نشانی لیزر پالسی

 In this paper, Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ (BSCF) thin films were deposited on single crystal SrTiO3 (STO) (100) by pulsed laser deposition (PLD) technique at different pressures of oxygen. Crystal structure of bulk and thin film samples was studied by x-ray diffraction (XRD). The XRD results indicate that both bulk and thin film samples have cubic structures. AFM micrographs showed an increase i...

full text

مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه‌های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش‌های الکتروانباشت و الکترولس

در این تحقیق لایه‌های نازک مس بر زیرلایه‌ی نیم‌رسانای گالیوم‌آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه‌های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA 5 تاmA30 و لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف oC 25، oC77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه‌ها به کمک دستگاه‌های XR...

full text

My Resources

Save resource for easier access later


Journal title:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۱۰، شماره ۴، صفحات ۳۶۹-۳۶۹

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023